г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC40UPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC40UPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 40A 160W TO220AB, IGBT - 600 V 40 A 160 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC40UPBF.jpg
SP001541308,*IRG4BC40UPBF
480V, 20A, 10Ohm, 15V
160 W
Standard
600 V
40 A
-
160 A
2.1V @ 15V, 20A
320µJ (on), 350µJ (off)
100 nC
Through Hole
1,000
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
34ns/110ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: T1235H-6G
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRIAC ALTERNISTOR 600V 12A D2PAK, TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 12 A Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 2N5088
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 30V 0.05A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 50 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: AOT27S60L
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

MOSFET N-CH 600V 27A TO220, N-Channel 600 V 27A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220

Подробнее
Артикул: BSS138WH6327XTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3, N-Channel 60 V 280mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: FCH023N65S3L4
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 650V 75A TO247, N-Channel 650 V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: DME201020R
Бренд: Panasonic
Описание: TRANS NPN/PNP 60V 0.5A MINI5, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 60V 500mA 130MHz 300mW Surface Mount Mini5-G3-B
Подробнее