г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4IBC30UDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4IBC30UDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 17A 45W TO220FP, IGBT - 600 V 17 A 45 W Through Hole TO-220AB Full-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4IBC30UDPBF.jpg
-
600 V
17 A
68 A
2.1V @ 15V, 12A
45 W
380µJ (on), 160µJ (off)
Standard
50 nC
40ns/91ns
480V, 12A, 23Ohm, 15V
REACH Unaffected
TO-220AB Full-Pak
TO-220-3 Full Pack
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001540446,*IRG4IBC30UDPBF
2,000
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
42 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BMP21-LAB
Бренд: Brady
Описание: PRINTER, 9.5 IN H X 4.5 IN W X 2,
Подробнее
Артикул: TIP120
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS NPN DARL 60V TO220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 4MHz Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FCMT250N65S3
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 650V 12A POWER88, N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount Power88
Подробнее
Артикул: FDMS86163P
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN, P-Channel 100 V 7.9A (Ta), 50A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Подробнее
Артикул: TIP2955G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 60V 15A TO247, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 2.5MHz 90 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MOUTING BRACKET
Бренд: Panasonic
Описание: MOUNTING BRACKET ANE8870,
Подробнее