г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4P254S Infineon Technologies

Артикул
IRG4P254S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 250V 98A 200W TO247AC, IGBT - 250 V 98 A 200 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4P254S.jpg
*IRG4P254S
200V, 55A, 5Ohm, 15V
200 W
Standard
250 V
98 A
-
196 A
1.5V @ 15V, 55A
380µJ (on), 3.5mJ (off)
200 nC
Through Hole
25
-
Bulk
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
TO-247AC
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
40ns/270ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJ10021
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- HIV SW DARL, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 250 V 60 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1N4757A
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 51 V 1W DO-41G, Zener Diode 51 V 1 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: IRF9520SPBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK, P-Channel 100 V 6.8A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: ULQ2003D1
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO, Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA - - Surface Mount 16-SO
Подробнее
Артикул: SPP20N60S5XKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: HIGH POWER_LEGACY, N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: HB-875
Бренд: Wakefield-Vette
Описание: ALVES ZERO BACKLASH U-JOINT,
Подробнее