г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PC30FDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PC30FDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 31A 100W TO247AC, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4PC30FDPBF.jpg
-
600 V
31 A
120 A
1.8V @ 15V, 17A
100 W
630µJ (on), 1.39mJ (off)
Standard
51 nC
42ns/230ns
480V, 17A, 23Ohm, 15V
REACH Unaffected
TO-247AC
TO-247-3
-
Bulk
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001541864,2156-IRG4PC30FDPBF-448,*IRG4PC30FDPBF
400
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
42 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: PM150CLA120
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM L-SER 6PAC 1200V 150A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2 kV 150 A Power Module
Подробнее
Артикул: BYW51150
Бренд: Harris
Описание: 8A, 100V-200V DUAL DIODE, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 150 V 8A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 2N3019
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PREAMP DR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: IRG4PC50WPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 2N3766
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN POWER SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 500 µA - 25 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Подробнее
Артикул: IPD082N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Подробнее