г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PC30FDPBF International Rectifier

Артикул
IRG4PC30FDPBF
Бренд
International Rectifier
Описание
IRG4PC30F - 600V FAST 1-8 KHZ DI, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-247AC
Цена
389 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
-
Standard
42 ns
31 A
600 V
480V, 17A, 23Ohm, 15V
-
120 A
1.8V @ 15V, 17A
630µJ (on), 1.39mJ (off)
51 nC
REACH Unaffected
100 W
TO-247AC
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
Not applicable
3 (168 Hours)
EAR99
2156-IRG4PC30FDPBF,IFEIRFIRG4PC30FDPBF
1
TO-247-3
42ns/230ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAV16W
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123, Diode Standard 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: STB5NK50ZT4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK, N-Channel 500 V 4.4A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: GBJ2504-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBJ, Bridge Rectifier Single Phase Standard 400 V Through Hole GBJ
Подробнее
Артикул: BLF7G24LS-100,118
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B, RF Mosfet LDMOS 28 V 900 mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 18dB 20W SOT502B
Подробнее
Артикул: BCR141W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: SIZ926DT-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Подробнее