IRG4PC50WPBF Infineon Technologies

Артикул

IRG4PC50WPBF

Бренд

Infineon Technologies

Описание

IGBT 600V 55A 200W TO247AC, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole TO-247AC

Цена

549 руб.

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные

files/IRG4PC50WPBF.jpg

*IRG4PC50WPBF,92-0254PBF,92-0254PBF-ND,SP001537164

480V, 27A, 5Ohm, 15V

200 W

Standard

600 V

55 A

220 A

2.3V @ 15V, 27A

80µJ (on), 320µJ (off)

180 nC

Through Hole

400

Bulk

Obsolete

-55°C ~ 150°C (TJ)

TO-247-3

TO-247AC

ROHS3 Compliant

1 (Unlimited)

REACH Unaffected

EAR99

8541.29.0095

46ns/120ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDPF3860T

Бренд: Fairchild Semiconductor

Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2, N-Channel 100 V 20A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Подробнее

Артикул: NTB60N06L

Бренд: onsemi

Описание: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK, N-Channel 60 V 60A (Ta) 2.4W (Ta), 150W (Tj) Surface Mount D?PAK

Подробнее

Артикул: IRF512

Бренд: Harris

Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 4.9A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220

Подробнее

Артикул: 12CTQ035

Бренд: SMC Diode Solutions

Описание: 12A, 35V, TO-220AB,SCHOTTKY RECT, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 35 V 6A Through Hole TO-220-3

Подробнее

Артикул: B2012300

Бренд: Awntech

Описание: AWNING 6' 4-1/2"WX3'DX4' 8"H,

Подробнее

Артикул: MJ10012

Бренд: NTE Electronics

Описание: T-NPN SI- PO DARL SW, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 10 A - 175 W Through Hole TO-3

Подробнее

IRG4PC50WPBF Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята