г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH30KD Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH30KD
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4PH30KD.jpg
800V, 10A, 23Ohm, 15V
100 W
Standard
1200 V
20 A
-
40 A
4.2V @ 15V, 10A
950µJ (on), 1.15mJ (off)
53 nC
39ns/220ns
*IRG4PH30KD
Through Hole
25
-
Bulk
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
TO-247AC
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 80400CS
Бренд: Century Spring
Описание: EXT O= .300,L= 2.25,W= .037,
Подробнее
Артикул: MUN2212T1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 338 mW Surface Mount SC-59
Подробнее
Артикул: 3084-E
Бренд: Davies Molding
Описание: KNOB SMOOTH 1/4"-20 PLASTIC, Smooth Knob 1/4"-20 Shaft with No Indicator Plastic Black
Подробнее
Артикул: 2N2219A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 30V 0.8A TO-39, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 800 mA 250MHz 800 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: STL120N4F6AG
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT, N-Channel 40 V 55A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Подробнее
Артикул: SCS210KGC
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC, Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 10A (DC) Through Hole TO-220AC
Подробнее