г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH30KDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH30KDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC, IGBT - 1200 V 20 A 100 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4PH30KDPBF.jpg
-
1200 V
20 A
40 A
4.2V @ 15V, 10A
100 W
950µJ (on), 1.15mJ (off)
Standard
53 nC
39ns/220ns
800V, 10A, 23Ohm, 15V
REACH Unaffected
TO-247AC
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
2156-IRG4PH30KDPBF-448,*IRG4PH30KDPBF,SP001536034
400
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
ROHS3 Compliant
50 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRLB8743PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB, N-Channel 30 V 78A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: STS1NK60Z
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO, N-Channel 600 V 250mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 1223-10-S-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCLEAR ZINC1/2 RD X 5, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.625" (15.88mm) 5/8" Clear
Подробнее
Артикул: 1N4002GP
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41, Diode Standard 100 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: DMN10H220LE-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223, N-Channel 100 V 2.3A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: QS6K1TR
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Подробнее