г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH40UD-EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH40UD-EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 41A 160W TO247-3, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Цена
593 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4PH40UD-EPBF.jpg
1200 V
41 A
82 A
3.1V @ 15V, 21A
160 W
1.8mJ (on), 1.93mJ (off)
Standard
86 nC
46ns/97ns
800V, 21A, 10Ohm, 15V
-
TO-247AC
TO-247-3
-
Bulk
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRG4PH40UD-EPBF,SP001537194,IRG4PH40UDEPBF
25
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
63 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MS2901
Бренд: Microsemi
Описание: TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: BC856BMTF
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: 0.1A, 65V, PNP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 65 V 100 mA 150MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FDPF16N50
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 16A TO220F, N-Channel 500 V 16A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: 1457-25-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.313" (7.94mm) -
Подробнее
Артикул: PM100CSD060
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 6PAC 600V 100A, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 100 A Power Module
Подробнее
Артикул: 2N6039
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN DARL 80V 4A SOT-32, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A - 40 W Through Hole SOT-32-3
Подробнее