г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH50S-EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH50S-EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 57A TO247AD, IGBT - 1200 V 57 A 200 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4PH50S-EPBF.jpg
960V, 33A, 5Ohm, 15V
200 W
Standard
1200 V
57 A
-
114 A
1.7V @ 15V, 33A
1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
167 nC
IRG4PH50SEPBF,2156-IRG4PH50S-EPBF,SP001545684,INFINFIRG4PH50S-EPBF
Through Hole
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
TO-247AD
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
25
32ns/845ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MA4P7433-287T
Бренд: MACOM
Описание: RF DIODE PIN 75V 250MW SOT23-3, RF Diode PIN - Single 75V 150 mA 250 mW SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FGA30S120P
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, IGBT Trench Field Stop 1300 V 60 A 348 W Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: 1535-B-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: NJL4281DG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 350V 15A TO264, Bipolar (BJT) Transistor NPN + Diode (Isolated) 350 V 15 A 35MHz 230 W Through Hole TO-264
Подробнее
Артикул: FG0128
Бренд: Keene Village Plastics
Описание: PETG 3MM DARK GREY 1 KG REEL, 3D Printing Filament Gray (Dark Gray) PETG (Polyethylene Terephthalate Glycol-modified) 0.113" (2.88mm) 2.205 lb (1.00 kg)
Подробнее
Артикул: VS-HFA08TB120STRLP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY GP 1200V 8A D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200 V 8A (DC) Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее