г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4PH50S-EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4PH50S-EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 57A TO247AD, IGBT - 1200 V 57 A 200 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4PH50S-EPBF.jpg
960V, 33A, 5Ohm, 15V
200 W
Standard
1200 V
57 A
-
114 A
1.7V @ 15V, 33A
1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
167 nC
IRG4PH50SEPBF,2156-IRG4PH50S-EPBF,SP001545684,INFINFIRG4PH50S-EPBF
Through Hole
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
TO-247AD
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
25
32ns/845ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DB2S31600L
Бренд: Panasonic
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SSMINI2, Diode Schottky 30 V 100mA Surface Mount SSMini2-F5-B
Подробнее
Артикул: IRF7104PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BZX85C5V6
Бренд: onsemi
Описание: ZENER DIODE, 5.6V, 5%, 1W, UNIDI, Zener Diode 5.6 V 1.3 W ±5% Through Hole DO-41G
Подробнее
Артикул: IRFB4510PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB, N-Channel 100 V 62A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: AON4605
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание:

MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN, Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.3A, 3.4A 1.9W Surface Mount 8-DFN (3x2)

Подробнее
Артикул: ML 801
Бренд: Industrial Fiber Optics
Описание: HENE PROJECT KIT,
Подробнее