г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH35UD1-EP Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH35UD1-EP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 50A 179W TO247, IGBT Trench 1200 V 50 A 179 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PH35UD1-EP.jpg
REACH Unaffected
Trench
1200 V
50 A
150 A
2.2V @ 15V, 20A
179 W
620µJ (off)
Standard
130 nC
-/160ns
TO-247AD
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001541578
25
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
IRG7PH35
600V, 20A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DB207S
Бренд: MDD
Описание: Bridge Rectifier DBS 1KV 2A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Surface Mount DBS
Подробнее
Артикул: MJ15025
Бренд: Solid State
Описание: TO 3 SILICON TRANSISTOR PNP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 250 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: 1570-E-2-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее
Артикул: IRF6668TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ, N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Подробнее
Артикул: SI2308CDS-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3, N-Channel 60 V 2.6A (Tc) 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IXGH25N120A
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1200V 50A 200W TO247AD, IGBT - 1200 V 50 A 200 W Through Hole TO-247AD
Подробнее