г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH35UD1-EP International Rectifier

Артикул
IRG7PH35UD1-EP
Бренд
International Rectifier
Описание
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN, IGBT Trench 1200 V 50 A 179 W Through Hole TO-247AD
Цена
479 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PH35UD1-EP.jpg
REACH Unaffected
Standard
50 A
1200 V
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Trench
150 A
2.2V @ 15V, 20A
620µJ (off)
130 nC
179 W
TO-247AD
TO-247-3
-
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
INFIRFIRG7PH35UD1-EP,2156-IRG7PH35UD1-EP
1
-/160ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXFX64N50P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3, N-Channel 500 V 64A (Tc) 830W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Подробнее
Артикул: FP40R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 55A 210W, IGBT Module - Three Phase Inverter 1200 V 55 A 210 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: 1490-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: MRF1570NT1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 40V 470MHZ TO272-8 WRAP, RF Mosfet LDMOS 12.5 V 800 mA 470MHz 11.5dB 70W TO-272-8 Wrap
Подробнее
Артикул: MUR1620CTRG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200 V 8A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: STTH12R06DIRG
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC, Diode Standard 600 V 12A Through Hole TO-220AC ins
Подробнее