г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH35UD1PBF International Rectifier

Артикул
IRG7PH35UD1PBF
Бренд
International Rectifier
Описание
IGBT W/ULTRA-LOW VF DIODE FOR IN, IGBT Trench 1200 V 50 A 179 W Through Hole TO-247AC
Цена
462 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PH35UD1PBF.jpg
REACH Unaffected
Standard
50 A
1200 V
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Trench
150 A
2.2V @ 15V, 20A
620µJ (off)
130 nC
179 W
TO-247AC
TO-247-3
-
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
INFIRFIRG7PH35UD1PBF,2156-IRG7PH35UD1PBF
1
-/160ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FMMT555TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 150V 1A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 1 A 100MHz 500 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FP50R12KT4B16BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 100A 280W, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200 V 100 A 280 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: BZX84-B5V1,235
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 5.1V 250MW TO236AB, Zener Diode 5.1 V 250 mW ±2% Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: MUBW40-12T7
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MODULE 1200V 62A 220W E2, IGBT Module Trench Three Phase Inverter with Brake 1200 V 62 A 220 W Chassis Mount E2
Подробнее
Артикул: DTC123JETL
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Подробнее
Артикул: TO-1037CS
Бренд: Century Spring
Описание: TOR O=.568, W=.050,
Подробнее