г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH35UPBF International Rectifier

Артикул
IRG7PH35UPBF
Бренд
International Rectifier
Описание
IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D, IGBT Trench 1200 V 55 A 210 W Through Hole TO-247AC
Цена
391 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PH35UPBF.jpg
REACH Unaffected
Standard
55 A
1200 V
600V, 20A, 10Ohm, 15V
Trench
60 A
2.2V @ 15V, 20A
1.06mJ (on), 620µJ (off)
130 nC
210 W
TO-247AC
TO-247-3
-
Bulk
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
2156-IRG7PH35UPBF,INFIRFIRG7PH35UPBF
1
30ns/160ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NSR05T30XV2T5G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD523, Diode Schottky 30 V 500mA (DC) Surface Mount SOD-523
Подробнее
Артикул: MJ10023
Бренд: Solid State
Описание: TO 3 40 AMP DARLINGTON TRANSISTO, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 400 V 40 A - 250 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: NTMS5P02R2G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC, P-Channel 20 V 3.95A (Ta) 790mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: MTP8N50E
Бренд: onsemi
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: 1N6331
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER, Zener Diode
Подробнее
Артикул: BZX84-B3V3,215
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 3.3V 250MW TO236AB, Zener Diode 3.3 V 250 mW ±2% Surface Mount TO-236AB
Подробнее