г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH42UDPBF International Rectifier

Артикул
IRG7PH42UDPBF
Бренд
International Rectifier
Описание
IRG7PH42 - INSULATED GATE BIPOLA, IGBT Trench 1200 V 85 A 320 W Through Hole TO-247AC
Цена
1 509 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PH42UDPBF.jpg
320 W
1200 V
85 A
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Trench
2V @ 15V, 30A
90 A
2.11mJ (on), 1.18mJ (off)
157 nC
153 ns
TO-247AC
Standard
-
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Through Hole
TO-247-3
0000.00.0000
2156-IRG7PH42UDPBF,IFEIRFIRG7PH42UDPBF
1
25ns/229ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: APTGF300U120DG
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT MODULE 1200V 400A 1780W SP6, IGBT Module NPT Single 1200 V 400 A 1780 W Chassis Mount SP6
Подробнее
Артикул: 2N2222A
Бренд: onsemi
Описание: NPN MED PWR GEN PUR (TO-18 CASE), Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA - 500 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: IDW40G120C5BFKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3, Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200 V 55A (DC) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BSC070N10NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8, N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: FQA28N50F
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P, N-Channel 500 V 28.4A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: 2SD2082
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN DARL 120V 16A TO3PF, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 16 A 20MHz 75 W Through Hole TO-3PF
Подробнее