г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH46UD-EP Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH46UD-EP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 108A COPAK247, IGBT Trench 1200 V 40 A 390 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PH46UD-EP.jpg
600V, 40A, 10Ohm, 15V
390 W
Standard
1200 V
40 A
Trench
160 A
2V @ 15V, 40A
2.61mJ (on), 1.85mJ (off)
220 nC
45ns/410ns
SP001540700
Through Hole
400
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
TO-247AD
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
140 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5225B
Бренд: Microchip Technology
Описание: VOLTAGE REGULATOR, Zener Diode 3 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: TIP115
Бренд: Harris
Описание: PNP DARLINGTON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 25MHz Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FDB8444
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB, N-Channel 40 V 70A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263)
Подробнее
Артикул: 1236-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/2 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.438" (36.53mm) 1 7/16" -
Подробнее
Артикул: 1N5401
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE 3A 100V DO-201AD STD., Diode Standard 100 V 3A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: SI4850EY-T1
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 6A 8SO, N-Channel 60 V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее