г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH46UD-EP Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH46UD-EP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 108A COPAK247, IGBT Trench 1200 V 40 A 390 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PH46UD-EP.jpg
600V, 40A, 10Ohm, 15V
390 W
Standard
1200 V
40 A
Trench
160 A
2V @ 15V, 40A
2.61mJ (on), 1.85mJ (off)
220 nC
45ns/410ns
SP001540700
Through Hole
400
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
TO-247AD
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
140 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 0987-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL.363HD X, #10-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее
Артикул: TIP132
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: APT17N80BC3G
Бренд: Microsemi
Описание: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3, N-Channel 800 V 17A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 0161-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS7/16HD X, #10-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: BZX85B30-TR
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 30V 1.3W DO41, Zener Diode 30 V 1.3 W ±2% Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: MRF8P29300HR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230, RF Mosfet LDMOS (Dual) 30 V 100 mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230
Подробнее