г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH46UD-EP Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH46UD-EP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 108A COPAK247, IGBT Trench 1200 V 40 A 390 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PH46UD-EP.jpg
600V, 40A, 10Ohm, 15V
390 W
Standard
1200 V
40 A
Trench
160 A
2V @ 15V, 40A
2.61mJ (on), 1.85mJ (off)
220 nC
45ns/410ns
SP001540700
Through Hole
400
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
TO-247AD
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
140 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDS5680
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, N-Channel 60 V 8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: 2SC5706-H
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 50V 5A TP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 400MHz 800 mW Through Hole TP
Подробнее
Артикул: 1N4117
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER, Zener Diode
Подробнее
Артикул: HSM88ASTR-E
Бренд: Renesas
Описание: SCHOTTKY BARRIER DIODE, Diode Array
Подробнее
Артикул: 1240-25-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON1/2, Round Spacer Unthreaded - Nylon 1.688" (42.86mm) -
Подробнее
Артикул: STW3N170
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3, N-Channel 1700 V 2.6A (Tc) 160mW Through Hole TO-247-3
Подробнее