г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH50K10DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH50K10DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 90A 400W TO247AC, IGBT - 1200 V 90 A 400 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PH50K10DPBF.jpg
-
1200 V
90 A
160 A
2.4V @ 15V, 35A
400 W
2.3mJ (on), 1.6mJ (off)
Standard
300 nC
90ns/340ns
600V, 35A, 5Ohm, 15V
REACH Unaffected
TO-247AC
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001532774
25
Through Hole
-40°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
130 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MS1000
Бренд: Microsemi
Описание: TRANSISTOR, RF Transistor
Подробнее
Артикул: 30228-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CIRCUIT BOARD SUPPORT, Board Support /
Подробнее
Артикул: 1179-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.750" (44.45mm) 1 3/4" -
Подробнее
Артикул: STD12N50M2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK, N-Channel 500 V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: 1100-2-B-15
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERHOT TIN DIP1/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: UJ3N065080K3S
Бренд: UnitedSiC
Описание: 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,, JFET N-Channel 650 V 32 A 190 W Through Hole TO-247-3
Подробнее