г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH50U-EP Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH50U-EP
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V ULTRA FAST TO247, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole PG-TO247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PH50U-EP.jpg
Trench
1200 V
140 A
150 A
2V @ 15V, 50A
556 W
4.6mJ (on), 3.2mJ (off)
Standard
440 nC
35ns/430ns
PG-TO247AD
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
Not Applicable
EAR99
8541.29.0095
SP001537500
1
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
600V, 50A, 5Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N4871
Бренд: Central Semiconductor
Описание: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI, Bipolar (BJT) Transistor PNP - 300 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: STF25NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP, N-Channel 600 V 21A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: SI7113ADN-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK, P-Channel 100 V 10.8A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Подробнее
Артикул: SIRA18DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8, N-Channel 30 V 33A (Tc) 3.3W (Ta), 14.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: IRGS4062DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W D2PAK, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRF4905SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее