г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH50UPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH50UPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 140A 556W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PH50UPBF.jpg
Trench
1200 V
140 A
150 A
2V @ 15V, 50A
556 W
3.6mJ (on), 2.2mJ (off)
Standard
290 nC
35ns/430ns
TO-247AC
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001541698
25
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
600V, 50A, 5Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-25CTQ040-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 40 V 30A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: D44H11
Бренд: Harris
Описание: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 50MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: VN0106N3-G
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3, N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 1440-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS1/2 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.188" (30.18mm) 1 3/16" -
Подробнее
Артикул: 1N5350B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 13V 5W AXIAL, Zener Diode 13 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: 2N5555
Бренд: onsemi
Описание: JFET N-CH 25V 15MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET - - - TO-92-3
Подробнее