г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PH50UPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG7PH50UPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 140A 556W TO247AC, IGBT Trench 1200 V 140 A 556 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PH50UPBF.jpg
Trench
1200 V
140 A
150 A
2V @ 15V, 50A
556 W
3.6mJ (on), 2.2mJ (off)
Standard
290 nC
35ns/430ns
TO-247AC
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001541698
25
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
600V, 50A, 5Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IF-FGB
Бренд: Industrial Fiber Optics
Описание: KIT FIBER OPTIC 6 ASST FIBERS, Fiber Optic Kit Cable Assembly
Подробнее
Артикул: STW13NK100Z
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3, N-Channel 1000 V 13A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: SKW25N120FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 46A 313W TO247-3, IGBT NPT 1200 V 46 A 313 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: OF-SP-24-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1-1/2" ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее
Артикул: MMBFJ310LT1G
Бренд: onsemi
Описание: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23, RF Mosfet N-Channel JFET 10 V 10 mA - 12dB - SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: BC517ZL1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1 A 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее