г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PK35UD1PBF Infineon Technologies

Артикул
IRG7PK35UD1PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1400V 40A 167W TO247AC, IGBT - 1400 V 40 A 167 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PK35UD1PBF.jpg
-
1400 V
40 A
200 A
2.35V @ 15V, 20A
167 W
650µJ (off)
Standard
98 nC
-/150ns
REACH Unaffected
TO-247AC
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001541444
25
Through Hole
-40°C ~ 150°C (TJ)
600V, 20A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SMBTA06
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: VS-20L15T-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 20A TO-220, Diode Schottky 15 V 20A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: MJE4353
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 160V 16A TO218, Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 16 A 1MHz 125 W Through Hole SOT-93
Подробнее
Артикул: BCR166W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: TIP142T
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN DARL 100V 10A TO-220, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: SL310A
Бренд: SURGE
Описание: 3A -100V - SMA (DO-214AC) - RECT, Diode Schottky 100 V 3A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее