г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7PK35UD1PBF Infineon Technologies

Артикул
IRG7PK35UD1PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1400V 40A 167W TO247AC, IGBT - 1400 V 40 A 167 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7PK35UD1PBF.jpg
-
1400 V
40 A
200 A
2.35V @ 15V, 20A
167 W
650µJ (off)
Standard
98 nC
-/150ns
REACH Unaffected
TO-247AC
TO-247-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001541444
25
Through Hole
-40°C ~ 150°C (TJ)
600V, 20A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDFS2P103A
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC, P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IRGB30B60KPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: C245056
Бренд: JBC TOOLS
Описание: CARTRIDGE BEVEL 3.5 HT,
Подробнее
Артикул: HGTP10N40C1
Бренд: Harris
Описание: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT, IGBT - 400 V 10 A 60 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: MMBFJ177
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: P-CHANNEL JFET, TO-236AB, JFET P-Channel 30 V 225 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 2N6715
Бренд: onsemi
Описание: NPN SILICON AUDIO POWER, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 2 A 500MHz 1 W Through Hole TO-92-3
Подробнее