г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG7S313UTRLPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG7S313UTRLPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT PDP 330V 40A D2PAK, IGBT Trench 330 V 40 A 78 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG7S313UTRLPBF.jpg
REACH Unaffected
Trench
330 V
40 A
2.14V @ 15V, 60A
78 W
-
Standard
33 nC
1ns/65ns
D2PAK
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
IRG7S313UTRLPBFCT,SP001537462,IRG7S313UTRLPBFTR,IRG7S313UTRLPBFDKR
800
Surface Mount
IRG7S313U
196V, 12A, 10Ohm

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SI7489DP-T1-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8, P-Channel 100 V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее
Артикул: 2N6341
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 150V 25A TO-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 25 A 40MHz 200 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: 1N5369B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 51V 5W AXIAL, Zener Diode 51 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: IRFS640A
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F
Подробнее
Артикул: BS10-4-4-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 1/4"X1/4" BELLOWS COUPLING,
Подробнее
Артикул: LSIC1MO170E1000
Бренд: Littelfuse
Описание: SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L, N-Channel 1700 V 5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-247AD
Подробнее