г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG8P60N120KDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG8P60N120KDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 1200V 100A 420W TO-247AC, IGBT - 1200 V 100 A 420 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG8P60N120KDPBF.jpg
-
1200 V
100 A
120 A
2V @ 15V, 40A
420 W
2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Standard
345 nC
40ns/240ns
600V, 40A, 5Ohm, 15V
REACH Unaffected
TO-247AC
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001537660
25
Through Hole
-40°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
210 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5817-E3/54
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO204AL, Diode Schottky 20 V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: DMP2066LDM-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26, P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-26
Подробнее
Артикул: 1N2025
Бренд: Solid State
Описание: DO5 40 AMP SILICON RECTFIER, Diode Standard 400 V 40A Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: IRFZ46NS
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK, N-Channel 55 V 53A (Tc) 3.8W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: PS-750-2-OR
Бренд: Brady
Описание: SLEEVE, 0.75 IN DIA X 2 IN W,
Подробнее
Артикул: SG-3227
Бренд: ICP DAS
Описание: SIGNAL CONDITIONER: 2 CHANNEL IE,
Подробнее