г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB30B60KPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB30B60KPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGB30B60KPBF.jpg
REACH Unaffected
NPT
600 V
78 A
120 A
2.35V @ 15V, 30A
370 W
350µJ (on), 825µJ (off)
Standard
102 nC
46ns/185ns
TO-220AB
TO-220-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001546084,*IRGB30B60KPBF
1,000
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
ROHS3 Compliant
400V, 30A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1570-B-4-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее
Артикул: IDT12S60C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, Diode
Подробнее
Артикул: IRF1010ZSPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK, N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 1301-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.625" (41.28mm) 1 5/8" -
Подробнее
Артикул: DDTC114ECA-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRF4905SPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK, P-Channel 55 V 42A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее