г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB30B60KPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB30B60KPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGB30B60KPBF.jpg
REACH Unaffected
NPT
600 V
78 A
120 A
2.35V @ 15V, 30A
370 W
350µJ (on), 825µJ (off)
Standard
102 nC
46ns/185ns
TO-220AB
TO-220-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001546084,*IRGB30B60KPBF
1,000
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
ROHS3 Compliant
400V, 30A, 10Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: FDS89141
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.5A 1.6W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: B500C1500B
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: 1PH BRIDGE 19X10X3.5 1000V 2.3A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole 4-SIP
Подробнее
Артикул: BS-1500
Бренд: Wakefield-Vette
Описание: ALVES ZERO BACKLASH U-JOINT,
Подробнее
Артикул: SK1545-TP
Бренд: Micro Commercial
Описание: DIODE SCHOTTKY 45V 15A DO214AB, Diode Schottky 45 V 15A Surface Mount DO-214AB (HSMC)
Подробнее
Артикул: MRF6V2300NR1
Бренд: Freescale Semiconductor
Описание: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-, RF Mosfet LDMOS 50 V 900 mA 600MHz 25.5dB 300W TO-272 WB-4
Подробнее
Артикул: MJE180
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 40V 3A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 3 A 50MHz 12.5 W Through Hole TO-126
Подробнее