г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB4059DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB4059DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 8A 56W TO220AB, IGBT Trench 600 V 8 A 56 W Through Hole TO-220AB
Цена
186 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGB4059DPBF.jpg
400V, 4A, 100Ohm, 15V
56 W
Standard
600 V
8 A
Trench
16 A
2.05V @ 15V, 4A
35µJ (on), 75µJ (off)
9 nC
25ns/65ns
SP001542260,IFEINFIRGB4059DPBF,2156-IRGB4059DPBF-IT
Through Hole
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
55 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: APT15GN120BDQ1G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 1200V 45A 195W TO247, IGBT Trench Field Stop 1200 V 45 A 195 W Through Hole TO-247 [B]
Подробнее
Артикул: BZX79-C7V5,113
Бренд: Nexperia
Описание: DIODE ZENER 7.5V 400MW ALF2, Zener Diode 7.5 V 400 mW ±5% Through Hole ALF2
Подробнее
Артикул: 2N6491G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 15A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 15 A 5MHz 1.8 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BCW60C
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 100 mA 125MHz 350 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRLI520NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220AB FP, N-Channel 100 V 8.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Подробнее
Артикул: MSP-23-AN
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 23 MM ANO ALUM SHAFT COLLAR,
Подробнее