г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGB4715DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGB4715DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 650V TO-220AB, IGBT - 650 V 21 A 100 W Through Hole TO-220AB
Цена
193 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGB4715DPBF.jpg
-
650 V
21 A
24 A
2V @ 15V, 8A
100 W
200µJ (on), 90µJ (off)
Standard
30 nC
30ns/100ns
400V, 8A, 50Ohm, 15V
REACH Unaffected
TO-220AB
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001541638,2156-IRGB4715DPBF-IT,IFEINFIRGB4715DPBF
50
Through Hole
-40°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
86 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DAP222
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 80 V 100mA (DC) Surface Mount SC-75, SOT-416
Подробнее
Артикул: FDPC5018SG
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W, 1.1W Surface Mount Power Clip 56
Подробнее
Артикул: 2N6388
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 80V 10A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 10 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRF7490TRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO, N-Channel 100 V 5.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: GP1603
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 16A 200V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200 V 16A (DC) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IRFU9024N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 55V 11A IPAK, P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Подробнее