г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGBC30F Infineon Technologies

Артикул
IRGBC30F
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT FAST 600V 31A TO-220AB, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGBC30F.jpg
8541.29.0095
50
Through Hole
100 W
Standard
600 V
31 A
-
EAR99
REACH Unaffected
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
2.1V @ 15V, 17A

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5333B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 3.3V 5W AXIAL, Zener Diode 3.3 V 5 W ±5% Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: IRGS4620DPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IGBT WITH RECOVERY DIODE, IGBT - 600 V 32 A 140 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: RBS-22
Бренд: Essentra Components
Описание: BUMPER CYLIN 0.378" DIA CLR, Bumper Cylindrical, Dome 0.378" Dia (9.60mm) Polyurethane Clear
Подробнее
Артикул: BF245B,126
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: JFET N-CH 30V 15MA TO92, RF Mosfet N-Channel JFET 15 V 100MHz - - TO-92-3
Подробнее
Артикул: BB-1250
Бренд: Wakefield-Vette
Описание: ALVES ZERO BACKLASH U-JOINT,
Подробнее
Артикул: AUIRF7319QTR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее