г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGBC30UD2 Infineon Technologies

Артикул
IRGBC30UD2
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGBC30UD2.jpg
TO-220-3
TO-220AB
REACH Unaffected
-
600 V
23 A
3V @ 15V, 12A
100 W
RoHS non-compliant
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
50
Through Hole
Standard

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZT52C11-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER 11V 500MW SOD123, Zener Diode 11 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: 0570-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS1/4HD X, #4-40 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: 1355-6-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.688" (42.86mm) -
Подробнее
Артикул: ES3G R7G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB, Diode Standard 400 V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Подробнее
Артикул: RURP3060
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2, Diode Standard 600 V 30A Through Hole TO-220-2
Подробнее
Артикул: NE3515S02-T1C-A
Бренд: Renesas
Описание: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02
Подробнее