г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP4063-EPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP4063-EPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 96A 330W TO247AD, IGBT Trench 600 V 96 A 330 W Through Hole TO-247AD
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGP4063-EPBF.jpg
400V, 48A, 10Ohm, 15V
330 W
Standard
600 V
96 A
Trench
144 A
2.14V @ 15V, 48A
625µJ (on), 1.28mJ (off)
95 nC
IRGP4063EPBF,SP001536298
Through Hole
25
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
TO-247AD
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
60ns/145ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SZMMSZ4702T1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123, Zener Diode 15 V 500 mW Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: HSMS-2852-TR1G
Бренд: Broadcom Limited
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 2V SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 2V SOT-23-3
Подробнее
Артикул: SPB08P06P
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 60V 8.8A TO263-3, P-Channel 60 V 8.8A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Подробнее
Артикул: FDP6670AL
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3, N-Channel 30 V 80A (Ta) 68W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BE-8820L
Бренд: WEC
Описание: BE-8820L,
Подробнее
Артикул: MUR260
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL, Diode Standard 600 V 2A Through Hole Axial
Подробнее