г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP4790PBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP4790PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 650V TO-247, IGBT - 650 V 140 A 455 W Through Hole TO-247AC
Цена
653 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGP4790PBF.jpg
400V, 75A, 10Ohm, 15V
455 W
Standard
650 V
140 A
-
225 A
2V @ 15V, 75A
2.5mJ (on), 2.2mJ (off)
210 nC
INFIRFIRGP4790PBF,SP001541756,2156-IRGP4790PBF-IT
Through Hole
25
-
Tube
Obsolete
-40°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
TO-247AC
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50ns/200ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1501-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.125" (28.58mm) 1 1/8" -
Подробнее
Артикул: U336-002-GB
Бренд: Tripp Lite
Описание: USB CABLE,
Подробнее
Артикул: PSMN2R8-40BS,118
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK, N-Channel 40 V 100A (Tc) 211W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 1N746A
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35, Zener Diode 3.3 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IRF3805STRL-7PP
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK, N-Channel 55 V 160A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Подробнее
Артикул: DTC144EUAT106
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 30 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount UMT3
Подробнее