г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGP6660DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGP6660DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 95A 330W TO247AC, IGBT - 600 V 95 A 330 W Through Hole TO-247AC
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGP6660DPBF.jpg
330 W
Standard
600 V
95 A
-
144 A
1.95V @ 15V, 48A
600µJ (on), 1.3mJ (off)
95 nC
60ns/155ns
400V, 48A, 10Ohm, 15V
Through Hole
25
-
Tube
Obsolete
-40°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
TO-247AC
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
70 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJE15029
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 120V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 8 A 30MHz 50 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: FDS2672
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC, N-Channel 200 V 3.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: ZXMP10A16KTC
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET P-CH 100V 3A TO252-3, P-Channel 100 V 3A (Ta) 2.15W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Подробнее
Артикул: IRFB3077GPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB, N-Channel 75 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1N4006-T
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41, Diode Standard 800 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: KBPC610
Бренд: MDD
Описание: BRIDGE RECT 1P 1KV 6A KBPC, Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBPC
Подробнее