г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGPS66160DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGPS66160DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 160A TO247, IGBT - 600 V 240 A 750 W Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGPS66160DPBF.jpg
600 V
240 A
360 A
1.95V @ 15V, 120A
750 W
4.47mJ (on), 3.43mJ (off)
Standard
220 nC
80ns/190ns
400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
-
SUPER-247™ (TO-274AA)
TO-274AA
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001548322
25
Through Hole
-40°C ~ 175°C (TJ)
95 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STGW35HF60W
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 60A 200W TO247, IGBT - 600 V 60 A 200 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: IXFX20N120P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3, N-Channel 1200 V 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Подробнее
Артикул: BZX84C16
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 16V 200MW SOT-23, Zener Diode 16 V 350 mW ±5% Surface Mount SOT-23
Подробнее
Артикул: MBR4015CTLG
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 15V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 15 V 20A Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: CM200DY-12H
Бренд: Powerex
Описание: IGBT MOD 600V 200A 780W, IGBT Module - Half Bridge 600 V 200 A 780 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: NE3510M04-A
Бренд: CEL
Описание: FET RF 4V 4GHZ M04, RF Mosfet HFET 2 V 15 mA 4GHz 16dB 11dBm M04
Подробнее