г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGS4062DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGS4062DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 48A 250W D2PAK, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGS4062DPBF.jpg
Trench
600 V
48 A
96 A
1.95V @ 15V, 24A
250 W
115µJ (on), 600µJ (off)
Standard
50 nC
41ns/104ns
400V, 24A, 10Ohm, 15V
D2PAK
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001535940
50
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
IRGS4062DPBF
89 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1353-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL1/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.563" (39.69mm) -
Подробнее
Артикул: NZT6717-ON
Бренд: onsemi
Описание: 1.2A, 80V, NPN, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1.2 A - 1 W Surface Mount SOT-223-4
Подробнее
Артикул: BC546C
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT TO-92 65V 100MA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: STW18NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3, N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: BLF278,112
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1, RF Mosfet 2 N-Channel (Dual) Common Source 50 V 100 mA 108MHz 22dB 300W CDFM4
Подробнее
Артикул: P-8553
Бренд: WEC
Описание: POWER TRANSFORMER,
Подробнее