г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGS4062DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGS4062DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 48A 250W D2PAK, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGS4062DPBF.jpg
Trench
600 V
48 A
96 A
1.95V @ 15V, 24A
250 W
115µJ (on), 600µJ (off)
Standard
50 nC
41ns/104ns
400V, 24A, 10Ohm, 15V
D2PAK
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001535940
50
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
IRGS4062DPBF
89 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXTY1R4N120P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252, N-Channel 1200 V 1.4A (Tc) - Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: PS-1000-2-OR-S
Бренд: Brady
Описание: SLEEVE, 1 IN DIA X 2 IN W,
Подробнее
Артикул: 1147-8-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM1/4 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 1.688" (42.86mm) -
Подробнее
Артикул: 9002-50-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1 IN OD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.594" (15.08mm) -
Подробнее
Артикул: A2T26H160-24SR3
Бренд: Freescale Semiconductor
Описание: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, RF Mosfet LDMOS (Dual) 28 V 350 mA 2.58GHz 15.5dB 28W NI-780S-4L2L
Подробнее
Артикул: FEP16HT
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY GP 500V 16A TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 500 V 16A Through Hole TO-220-3
Подробнее