г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGS4B60KD1PBF Infineon Technologies

Артикул
IRGS4B60KD1PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 11A 63W D2PAK, IGBT NPT 600 V 11 A 63 W Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGS4B60KD1PBF.jpg
400V, 4A, 100Ohm, 15V
63 W
Standard
600 V
11 A
NPT
22 A
2.5V @ 15V, 4A
73µJ (on), 47µJ (off)
12 nC
22ns/100ns
63-2004PBF,SP001541856,63-2004PBF-ND,2156-IRGS4B60KD1PBF-IT,IFEINFIRGS4B60KD1PBF,*IRGS4B60KD1PBF
IRGS4B60KD1PBF
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
D2PAK
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
50
Surface Mount
93 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N6057
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 60V 12A TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 12 A 4MHz 150 W Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: TIP41B
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BY550-100
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE STD D5.4X7.5 100V 5A, Diode Standard 100 V 5A Through Hole DO-201
Подробнее
Артикул: IRF7389
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC, Mosfet Array N and P-Channel 30V - 2.5W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BC33740TA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 800MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: IRF7805A
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее