г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRGSL4062DPBF Infineon Technologies

Артикул
IRGSL4062DPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 48A 250W TO262, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-262
Цена
408 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRGSL4062DPBF.jpg
250 W
Standard
600 V
48 A
Trench
96 A
1.95V @ 15V, 24A
115µJ (on), 600µJ (off)
50 nC
41ns/104ns
400V, 24A, 10Ohm, 15V
2156-IRGSL4062DPBF-IT,IFEINFIRGSL4062DPBF,SP001535892
Through Hole
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
TO-262
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
50
89 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: TIP146
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- PO DARLINGTON, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A - 125 W Through Hole TO-218
Подробнее
Артикул: 1433-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS1/2 HEX X 3, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: IXFK32N100P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA, N-Channel 1000 V 32A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Подробнее
Артикул: DLA60I1200HA
Бренд: IXYS
Описание: DIODE GEN PURP 1200V 60A TO247AD, Diode Standard 1200 V 60A Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: BSN20BKR
Бренд: Nexperia
Описание: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB, N-Channel 60 V 265mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: 1N5243B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 13V 500MW, Zener Diode 13 V 500 mW ±0.5% Through Hole -
Подробнее