г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL3102S Infineon Technologies

Артикул
IRL3102S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK, N-Channel 20 V 61A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRL3102S.jpg
D2PAK
REACH Unaffected
N-Channel
20 V
4.5V, 7V
13mOhm @ 37A, 7V
700mV @ 250µA
58 nC @ 4.5 V
±10V
2500 pF @ 15 V
-
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS non-compliant
HEXFET®
Tube
Obsolete
61A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRL3102S
50
Surface Mount
-55°C ~ 150°C (TJ)
89W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MBRS330T3G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 4A SMC, Diode Schottky 30 V 4A Surface Mount SMC
Подробнее
Артикул: MM3Z16VC
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 16V 200MW SOD323F, Zener Diode 16 V 200 mW ±5% Surface Mount SOD-323F
Подробнее
Артикул: U442-DOCK3-B
Бренд: Tripp Lite
Описание: USB-C LAPTOP DOCKING STATION - H,
Подробнее
Артикул: SPP21N10
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 21A TO220-3, N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Подробнее
Артикул: IRG4BC15UD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 14A 49W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 49 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: NE4210S01-T1B
Бренд: CEL
Описание: HJ-FET 13DB S01, RF Mosfet HFET 2 V 10 mA 12GHz 13dB - SMD
Подробнее