г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL3103S Infineon Technologies

Артикул
IRL3103S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK, N-Channel 30 V 64A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount D2PAK
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRL3103S.jpg
D2PAK
REACH Unaffected
N-Channel
30 V
4.5V, 10V
12mOhm @ 34A, 10V
1V @ 250µA
33 nC @ 4.5 V
±16V
1650 pF @ 25 V
-
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS non-compliant
HEXFET®
Tube
Obsolete
64A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001550308,*IRL3103S
50
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
94W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DMN6140L-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23, N-Channel 60 V 1.6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: 1497-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/4 HEX X 7, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.875" (22.23mm) 7/8" -
Подробнее
Артикул: SPA11N60C3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: A2T18H455W23NR6
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO, RF Mosfet LDMOS 31.5 V 1.08 A 1.805GHz ~ 1.88GHz 14.5dB 56dBm OM-1230-4L2S
Подробнее
Артикул: M-7045-NPN
Бренд: ICP DAS
Описание: MODBUS RTU RS-485 REMOTE I/O DAQ, Output Module DIN Rail 10 ~ 30VDC
Подробнее
Артикул: 1219-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON1/2, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее