г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL6372PBF Infineon Technologies

Артикул
IRL6372PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
Цена
529 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays, Транзисторы - Полевые транзисторы (FET MOSFET) - массивы
files/IRL6372PBF.jpg
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
8-SO
REACH Unaffected
2W
2 N-Channel (Dual)
30V
17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
1.1V @ 10µA
11nC @ 4.5V
1020pF @ 25V
ROHS3 Compliant
IRL6372PBF
-55°C ~ 150°C (TJ)
HEXFET®
Tube
Discontinued at Digi-Key
8.1A
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001568406
3,800
Surface Mount
Logic Level Gate

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BUZ102SL
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: 1N5223B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 2.7 V 1W DO-35, Zener Diode 2.7 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IRF7328TR
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: MA4P7435NM-1091T
Бренд: MACOM
Описание: DIODE, PIN, CERAMIC, RF Diode PIN - Single 1100V 500 mA -
Подробнее
Артикул: IXFH80N65X2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 650V 80A TO247, N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Подробнее
Артикул: 1401-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/8 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.688" (17.48mm) 11/16" -
Подробнее