г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRL8113PBF Infineon Technologies

Артикул
IRL8113PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 105A TO220AB, N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRL8113PBF.jpg
TO-220AB
REACH Unaffected
N-Channel
30 V
4.5V, 10V
6mOhm @ 21A, 10V
2.25V @ 250µA
35 nC @ 4.5 V
±20V
2840 pF @ 15 V
-
TO-220-3
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
HEXFET®
Tube
Obsolete
105A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRL8113PBF,SP001576430
1,000
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
110W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 10ETF02S
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK, Diode Standard 200 V 10A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее
Артикул: DTC114T
Бренд: onsemi
Описание: TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: MPSA43
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: IRGP4062D-EPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 48A 250W TO247AD, IGBT Trench 600 V 48 A 250 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: 1500-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.063" (27.00mm) 1 1/16" -
Подробнее
Артикул: ZXMD65P03N8TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.8A 1.25W Surface Mount 8-SO
Подробнее