г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR3636PBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR3636PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK, N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
336 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRLR3636PBF.jpg
D-Pak
REACH Unaffected
N-Channel
60 V
4.5V, 10V
6.8mOhm @ 50A, 10V
2.5V @ 100µA
49 nC @ 4.5 V
±16V
3779 pF @ 50 V
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
HEXFET®
Tube
Discontinued at Digi-Key
50A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001553190,2156-IRLR3636PBFINF,INFINFIRLR3636PBF
3,000
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
143W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N4935G
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41, Diode Standard 200 V 1A (DC) Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее
Артикул: 2820-F
Бренд: Davies Molding
Описание: KNOB 4 ARM 1/4"-20 PHENOLIC, 4 Arm Knob 1/4"-20 Shaft with No Indicator Phenolic Black
Подробнее
Артикул: EC103D1,412
Бренд: WeEn Semiconductors
Описание: SCR 400V 800MA TO92-3, SCR 400 V 800 mA Sensitive Gate Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: IXFN26N90
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B, N-Channel 900 V 26A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее
Артикул: BAV102-GS08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80, Diode Standard 150 V 250mA (DC) Surface Mount SOD-80 MiniMELF
Подробнее
Артикул: BC847CLT1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 100MA SOT23, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее