г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR8721PBF Infineon Technologies

Артикул
IRLR8721PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK, N-Channel 30 V 65A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
41 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRLR8721PBF.jpg
D-Pak
REACH Unaffected
N-Channel
30 V
4.5V, 10V
8.4mOhm @ 25A, 10V
2.35V @ 25µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1030 pF @ 15 V
-
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
MOSFET (Metal Oxide)
HEXFET®
Tube
Obsolete
65A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001552866,INFINFIRLR8721PBF,2156-IRLR8721PBF-IT
75
Surface Mount
-55°C ~ 175°C (TJ)
65W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STGYA75H120DF2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRENCH GATE FIELD-STOP 1200 V, 7, IGBT Trench Field Stop 1200 V 150 A 750 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: BZX84-B30,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 30V 250MW TO236AB,
Подробнее
Артикул: 2N2904A
Бренд: Solid State
Описание: TO 39 PNP SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 600 mA 200MHz 600 mW Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: FQPF2N60
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 600V 1.6A TO220F, N-Channel 600 V 1.6A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Подробнее
Артикул: 1N4007G-T
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: IXGP16N60B2D1
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 40A 150W TO220, IGBT PT 600 V 40 A 150 W Through Hole TO-220-3
Подробнее