г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLR8729PBF International Rectifier

Артикул
IRLR8729PBF
Бренд
International Rectifier
Описание
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK, N-Channel 30 V 58A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Цена
48 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRLR8729PBF.jpg
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
58A (Tc)
8.9mOhm @ 25A, 10V
2.35V @ 25µA
±20V
-
55W (Tc)
30 V
16 nC @ 4.5 V
REACH Unaffected
D-PAK (TO-252AA)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
HEXFET®
Bulk
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
2156-IRLR8729PBF,INFIRFIRLR8729PBF
1
1350 pF @ 15 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1413-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.438" (36.53mm) 1 7/16" -
Подробнее
Артикул: DTA144EET1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SC-75, SOT-416
Подробнее
Артикул: APT75GN60LDQ3G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 600V 155A 536W TO264, IGBT Trench Field Stop 600 V 155 A 536 W Through Hole TO-264 [L]
Подробнее
Артикул: 1SMA4739
Бренд: Taiwan Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 9.1V 1.25W DO214AC, Zener Diode 9.1 V 1 W ±5% Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: MJ14002
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PWR NPN 60A 80V TO3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 60 A - 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: 1N4007
Бренд: DComponents
Описание: ST Rect, 1000V, 1A, Diode Standard 1000 V 1A Through Hole DO-41/DO-204AC
Подробнее