г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLS3036-7PPBF International Rectifier

Артикул
IRLS3036-7PPBF
Бренд
International Rectifier
Описание
IRLS3036 - HEXFET POWER MOSFET, N-Channel 60 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Цена
374 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
HEXFET®
MOSFET (Metal Oxide)
240A (Tc)
1.9mOhm @ 180A, 10V
2.5V @ 250µA
±16V
-
380W (Tc)
60 V
160 nC @ 4.5 V
11270 pF @ 50 V
N-Channel
REACH Unaffected
D2PAK (7-Lead)
Bulk
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
Not applicable
1 (Unlimited)
EAR99
INFIRFIRLS3036-7PPBF,2156-IRLS3036-7PPBF
1
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
4.5V, 10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJE3439
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PWR NPN .3A 350V TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 300 mA 15MHz 15 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: ZB5AS834
Бренд: WEC
Описание: ZB5AS834,
Подробнее
Артикул: VS-10BQ040PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMB, Diode Schottky 40 V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: FQP19N20
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3, N-Channel 200 V 19.4A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: DTC144EET1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: VS-E4PH6006LHN3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD, Diode Standard 600 V 60A Through Hole TO-247AD
Подробнее