г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRLZ34NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRLZ34NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB, N-Channel 55 V 30A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
253 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRLZ34NPBF.jpg
TO-220-3
TO-220AB
REACH Unaffected
N-Channel
55 V
4V, 10V
35mOhm @ 16A, 10V
2V @ 250µA
25 nC @ 5 V
±16V
880 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
HEXFET®
Tube
Active
30A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001553290,*IRLZ34NPBF
50
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
IRLZ34
68W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STGW45NC60VD
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 600V 90A 270W TO247, IGBT - 600 V 90 A 270 W Through Hole TO-247 Long Leads
Подробнее
Артикул: STTH112
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A DO41, Diode Standard 1200 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: TIP32A
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-PNP SI- AF PO, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A - 2 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IMZ120R030M1HXKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4, N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
Подробнее
Артикул: FQP20N06L
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 21A TO220-3, N-Channel 60 V 21A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: 8TQ100S
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK, Diode Schottky 100 V 8A Surface Mount TO-263AB (D?PAK)
Подробнее