г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

ISL9R18120G2 onsemi

Артикул
ISL9R18120G2
Бренд
onsemi
Описание
DIODE GEN PURP 1200V 18A TO247-2, Diode Standard 1200 V 18A Through Hole TO-247-2
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Diodes - Rectifiers - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные
files/ISL9R18120G2.jpg
REACH Unaffected
100 µA @ 1200 V
3.3 V @ 18 A
Standard
1200 V
Fast Recovery = 200mA (Io)
70 ns
-55°C ~ 150°C
18A
TO-247-2
1 (Unlimited)
ROHS3 Compliant
Stealth™
Tube
Obsolete
Through Hole
TO-247-2
EAR99
8541.10.0080
450
ISL9R18120
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXTH240N15X4
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 150V 240A TO247, N-Channel 150 V 240A (Tc) 940W (Tc) Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: 30CTQ045
Бренд: DComponents
Описание: SchottkyD, 45V, 30A, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45 V 15A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: MJD112T4G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: SI4410DYPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO, N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: BAT68E6327HTSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3, RF Diode Schottky - Single 8V 130 mA 150 mW PG-SOT23
Подробнее
Артикул: 2N6211
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP, Bipolar (BJT) Transistor PNP 225 V 5 mA - 3 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Подробнее